Технология создания 3D звука




Сабвуфер



Сабвуфер

Корпус сабвуфера сделан из дерева. Толщина всех его стенок составляет 13 миллиметров. Акустическим оформлением сабвуфера является схема с фазоинвертором. Отверстие фазоинвертора выведено в верхнюю часть боковой панели. Диаметр выполненного из бумаги диффузора низкочастотной головки составляет 14,5 сантиметров. Гибкий подвес сделан не из резины, а из вспененного резиноподобного материала. Судя по жесткости, динамик расчитан на достаточно высокие уровни громкости.

Внутри корпуса никакого наполнителя нет. Усилительная плата расположена в горизонтальном положении. Радиатор, выполенный в виде металлической скобы, также находится внутри корпуса сабвуфера. Сама плата крепится на специальные кронштейны прикрепленные к задней стенке и держится довольно уверенно.

На задней стороне сабвуфера расположены следующие элементы коммутации:

  • три аналоговых входа (два стандартных мини-джека и один трех контактный);
  • шесть разъемов (RCA) для подключения сатиллитов;
  • разъем питания;
  • разъем для подключения пульта ДУ;
  • переключатель режимов работы 5.1/6.1.

В усилительной части производитель использует три различные усилительные микросхемы. Две из них от Phillips Semiconductor TDA 8510J и TDA 8511J. И одна микросхема с маркировкой Creative. (Привести графики зависимости мощности от уровня искажений используемых микросхем мы вам не сможем, так как в даташитах их попросту нет.)

В любом случае производитель не утаивает реальные показатели мощностей: 22 Вт на сабвуфер, 20 Вт на центральный канал и 8 Вт на оставшиеся пять каналов. Судя по тому, что написано в спецификациях на микросхемы и учитывая питания эти значения очень близки к реальности.









Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин